新闻动态
当前位置: 首页 > 新闻动态 > 学术新闻 >
单层二硫化钨光电探测器中压电效应和压电阻效应竞争行为研究(裴永峰)

人与周围环境之间的实时交互感知已经引起了学者们广泛的研究兴趣。压电光电子学为研究人体机械动作与光电器件之间的直接相互作用提供了一个很好的平台。压电光电子学是指压电、半导体和光激发的三向耦合,自2010年王中林院士首次提出以来,已被广泛讨论和研究。如今,应力已被视为调制半导体材料光电性能的有效手段。2D TMDs由于其优异的机械性能,且物理性质能够随外加应力的变化而变化已被广泛应用在柔性电子器件领域。

近期,武汉大学肖湘衡教授团队在期刊《Applied Physics Letters》上发表了题为“Competitive behavior between the piezoelectric and piezoresistive effects in monolayer WS2 photodetector”的研究论文。文章基于单层(1L)WS2压电光电探测器,研究了压电效应和压电阻效应的竞争行为。研究表明,压电效应和压电阻效应在调制器件的光电性能方面都起着重要作用,却在不同时期主导了器件的性能。压电阻效应通过在小应变下缩小带隙来主导光电流增强。随着外加应变的增加,器件性能逐渐从小应力条件下的压电阻效应主导转变为大应力条件下的压电效应主导。在应力条件下,应力对光电流的调制高达1400%。该研究为如何基于压电光电效应科学地评估柔性光电器件的性能提供了新的视角。

图1. 基于1L-WS2的压电光电探测器器件测试示意图及其性能表征

文章链接:https://doi.org/10.1063/5.0189689

 

(通讯员:裴永峰)

地址:湖北省武汉市武昌区珞珈山, 武汉大学物理科学与技术学院,2-212

Tel:+86-27-68752481-8093   xxh@whu.edu.cn